BFL4001-1E
Производитель Номер продукта:

BFL4001-1E

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

BFL4001-1E-DG

Описание:

MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220-3 FP
Подробное описание:
N-Channel 900 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG

Инвентаризация:

12916313
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BFL4001-1E Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.7Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
850 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 37W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
BFL40

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
2156-BFL4001-1E

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTMFS5C406NT1G

T6 40V SG NCH SO8FL HEFET

littelfuse

IXFH52N50P2

MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD

vishay-siliconix

SIE844DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SQS482ENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8W