Производитель Номер продукта:
FCA22N60N
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCA22N60N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Подробное описание:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Инвентаризация:
12850640
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCA22N60N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
SupreMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1950 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
205W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PN
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
FCA22N60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
2832-FCA22N60N
FCA22N60NOS
FCA22N60N-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFQ50N60P3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFQ50N60P3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.29
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
AON6440
MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8DFN
FQPF12P20XDTU
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220F
