Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FCP125N65S3R0
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCP125N65S3R0-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12846058
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCP125N65S3R0 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
SuperFET® III
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 2.4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1940 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
181W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FCP125
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FCP125N65S3R0
HTML Спецификация
FCP125N65S3R0-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
FCP125N65S3R0OS
FCP125N65S3R0-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP60R099C7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPP60R099C7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.11
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPP60R125P6XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPP60R125P6XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.16
Тип замещения
Similar
Номер детали
STP30N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5189
Номер части
STP30N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.17
Тип замещения
Similar
Номер детали
STP40N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
37
Номер части
STP40N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.57
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK25E60X,S1X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
13
Номер части
TK25E60X,S1X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.80
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AOK27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO247
AOT424
MOSFET N-CH 30V 110A TO220
NTMFS4837NHT1G
MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
AOL1242
MOSFET N-CH 40V 14A/69A ULTRASO8