FDB0165N807L
Производитель Номер продукта:

FDB0165N807L

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDB0165N807L-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 80 V 310A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Инвентаризация:

1970 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12848436
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDB0165N807L Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
310A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
304 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
23660 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
FDB0165

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
FDB0165N807LTR
FDB0165N807L-DG
FDB0165N807LCT
FDB0165N807LDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
alpha-and-omega-semiconductor

AOB254L

MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263

onsemi

FDY301NZ

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

onsemi

FDD7N25LZTM

MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK

onsemi

FDN371N

MOSFET N-CH 20V 2.5A SUPERSOT3