Производитель Номер продукта:
FDD7N25LZTM
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDD7N25LZTM-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 250 V 6.2A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
9394 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12848445
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD7N25LZTM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
UniFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
550mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
635 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
56W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD7N25
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDD7N25LZTMTR
FDD7N25LZTMDKR
FDD7N25LZTMCT
FDD7N25LZTM-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDN371N
MOSFET N-CH 20V 2.5A SUPERSOT3
FQB19N20TM
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
AOW2918
MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
