Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FDB12N50TM
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDB12N50TM-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
1 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12921893
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDB12N50TM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
UniFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1315 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
165W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FDB12N50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FDB12N50TM
HTML Спецификация
FDB12N50TM-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFA12N50P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
298
Номер части
IXFA12N50P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.82
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXTA12N50P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
24
Номер части
IXTA12N50P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.71
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ATP114-TL-H
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
NTB5605P
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK