Производитель Номер продукта:
FDB2614
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDB2614-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 200 V 62A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
1095 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850985
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDB2614 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
27mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7230 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
260W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FDB261
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
2156-FDB2614-OS
2832-FDB2614
FDB2614DKR
FDB2614TR
ONSONSFDB2614
FDB2614CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDU6N25
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
FDPF2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
FDD26AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
