Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FDB3632
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDB3632-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12851123
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
X
d
l
6
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDB3632 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta), 80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
310W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FDB363
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FDB3632
HTML Спецификация
FDB3632-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
FDB3632DKR
2156-FDB3632-488
FDB3632TR
FDB3632CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB80NF10T4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
775
Номер части
STB80NF10T4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.46
Тип замещения
Similar
Номер детали
PHB27NQ10T,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7068
Номер части
PHB27NQ10T,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.55
Тип замещения
Similar
Номер детали
PSMN9R5-100BS,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5520
Номер части
PSMN9R5-100BS,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.92
Тип замещения
Similar
Номер детали
PSMN8R7-80BS,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5398
Номер части
PSMN8R7-80BS,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.70
Тип замещения
Similar
Номер детали
PSMN015-100B,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2021
Номер части
PSMN015-100B,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.81
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDU8876
MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK
FQD3N60TM
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
FDD8N50NZTM
MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
FQI5N80TU
MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK