Производитель Номер продукта:
FDD5N60NZTM
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDD5N60NZTM-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
45384 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850346
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD5N60NZTM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
UniFET-II™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD5N60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDD5N60NZTM-DG
2156-FDD5N60NZTM-OS
ONSONSFDD5N60NZTM
FDD5N60NZTMTR
FDD5N60NZTMCT
FDD5N60NZTMDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMS7676
MOSFET N-CH 30V 16A/28A 8PQFN
FQA6N90C-F109
MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
FQPF9N25
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
