Производитель Номер продукта:
FDD6780
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDD6780-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 25 V 16.5A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
12838257
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD6780 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16.5A (Ta), 30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1590 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 32.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD678
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDD6780CT
FDD6780DKR
FDD6780TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD090N03LGATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
94138
Номер части
IPD090N03LGATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.23
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCU360N65S3R0
MOSFET N-CH 600V IPAK
FDC021N30
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
ISL9N302AP3
MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
