Производитель Номер продукта:
FDMS86550
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS86550-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
Подробное описание:
N-Channel 60 V 32A (Ta), 155A (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
1537 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12838267
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS86550 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Ta), 155A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.65mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11530 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.7W (Ta), 156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
FDMS86
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMS86550DKR
FDMS86550TR
FDMS86550CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSC014N06NSATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
14862
Номер части
BSC014N06NSATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.24
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMC008N08C
MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
HUF76407P3
MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
HUFA75329D3ST
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
