Производитель Номер продукта:
FDN5618P
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDN5618P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Подробное описание:
P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Инвентаризация:
31131 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12846740
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDN5618P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.25A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
430 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
FDN5618
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDN5618PCT
2832-FDN5618PTR
FDN5618PDKR
FDN5618PTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMS86255
MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
IPA80R600P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
FQD8P10TM_SB82052
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
