FDN86265P
Производитель Номер продукта:

FDN86265P

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDN86265P-DG

Описание:

MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Подробное описание:
P-Channel 150 V 800mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Инвентаризация:

26027 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12838997
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDN86265P Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
210 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
FDN86265

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDN86265PTR
FDN86265PCT
FDN86265PDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

HUF76429D3S

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

onsemi

FCI25N60N-F102

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

onsemi

FDC8884

MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6

onsemi

FDP150N10A-F102

MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3