Производитель Номер продукта:
FCI25N60N-F102
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCI25N60N-F102-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Инвентаризация:
12839001
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCI25N60N-F102 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
SupreMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3352 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
216W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
FCI25N60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
FCI25N60N_F102-DG
FCI25N60N_F102
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPI60R099CPXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
500
Номер части
IPI60R099CPXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.99
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDC8884
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
FDP150N10A-F102
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
HUF76629D3ST
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
