FDT4N50NZU
Производитель Номер продукта:

FDT4N50NZU

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDT4N50NZU-DG

Описание:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Подробное описание:
N-Channel 500 V 2A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)

Инвентаризация:

3899 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12964752
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDT4N50NZU Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
UltraFRFET™, Unifet™ II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
476 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223 (TO-261)
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
4,000
Другие названия
488-FDT4N50NZUDKR
488-FDT4N50NZUTR
488-FDT4N50NZUCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panjit

PJA3411_R1_00001

SOT-23, MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

TPHR9203PL1,LQ

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ

vishay-siliconix

SIHG22N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC

panjit

PJP18N20_T0_00001

TO-220AB, MOSFET