FQAF13N80
Производитель Номер продукта:

FQAF13N80

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FQAF13N80-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Подробное описание:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF

Инвентаризация:

12850433
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQAF13N80 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
120W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PF
Упаковка / Чехол
TO-3P-3 Full Pack
Базовый номер продукта
FQAF13

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
2156-FQAF13N80-OS
ONSONSFQAF13N80

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
STW10NK80Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
39
Номер части
STW10NK80Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.27
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FDMC510P-F106

MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN

onsemi

FQD7P06TM_NB82050

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

onsemi

FDG332PZ

MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88

onsemi

FDPF52N20T

MOSFET N-CH 200V 52A TO220F