Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
MMDF1N05ER2G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MMDF1N05ER2G-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12851507
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MMDF1N05ER2G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
50V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
330pF @ 25V
Мощность - Макс
2W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
MMDF1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
MMDF1N05ER2G
HTML Спецификация
MMDF1N05ER2G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
MMDF1N05ER2GOSCT
MMDF1N05ER2GOSDKR
MMDF1N05ER2GOSTR
MMDF1N05ER2GOS
MMDF1N05ER2GOS-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
ZXMN6A11DN8TA
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4519
Номер части
ZXMN6A11DN8TA-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
19MT050XF
MOSFET 4N-CH 500V 31A 16MTP
MCH6664-TL-W
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A SC88FL
IRF7509TR
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
HAT2210RWS-E
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A/8A 8SOP