MMSF3P02HDR2SG
Производитель Номер продукта:

MMSF3P02HDR2SG

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

MMSF3P02HDR2SG-DG

Описание:

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
Подробное описание:
P-Channel 20 V 5.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

12855521
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

MMSF3P02HDR2SG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
75mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
MMSF3P

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2156-MMSF3P02HDR2SG
ONSONSMMSF3P02HDR2SG

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
renesas-electronics-america

2SK3408-T1B-AT

MOSFET N-CH 43V 1A SC96-3

renesas-electronics-america

RJL6012DPE-00#J3

MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK

onsemi

NVMFS5C604NLWFAFT3G

MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN

renesas-electronics-america

HAT2173HWS-E

MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK