Производитель Номер продукта:
NDD03N80Z-1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NDD03N80Z-1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I-Pak
Инвентаризация:
12842417
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NDD03N80Z-1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
440 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
96W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
NDD03
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
2156-NDD03N80Z-1G-ON
ONSONSNDD03N80Z-1G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STD2N80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6117
Номер части
STD2N80K5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.54
Тип замещения
Similar
Номер детали
FCU3400N80Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1691
Номер части
FCU3400N80Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.56
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTP5862NG
MOSFET N-CH 60V 98A TO220AB
NVTFS5C454NLTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
NTD4965NT4G
MOSFET N-CH 30V 13A/68A DPAK-3
