Производитель Номер продукта:
NDD60N900U1-1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NDD60N900U1-1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Through Hole IPAK
Инвентаризация:
12858045
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NDD60N900U1-1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
360 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
IPAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
NDD60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
ONSONSNDD60N900U1-1G
2156-NDD60N900U1-1G-ON
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPS80R1K2P7AKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPS80R1K2P7AKMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.47
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTS4001NT1
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
NTMFS4C08NT3G
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
NVD5C486NLT4G
MOSFET N-CH 40V 9.8A/24A DPAK
