Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NDS9959
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NDS9959-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 50V 2A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12856752
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NDS9959 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
50V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
250pF @ 25V
Мощность - Макс
900mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
NDS995
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NDS9959
HTML Спецификация
NDS9959-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
NDS9959TR
NDS9959TR-NDR
NDS9959CT-NDR
NDS9959DKR
NDS9959CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
ZXMN6A11DN8TA
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4519
Номер части
ZXMN6A11DN8TA-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMFD5C680NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
VEC2315-TL-H
MOSFET 2P-CH 60V 2.5A SOT28
NVTJD4001NT2G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
NTGD4161PT1G
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP