Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NSBA123JDXV6T1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NSBA123JDXV6T1G-DG
Описание:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12841541
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NSBA123JDXV6T1G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
2.2kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
500mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-563
Базовый номер продукта
NSBA123
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
NSBA123JDXV6T1GOS-DG
2156-NSBA123JDXV6T1G
NSBA123JDXV6T1GOS
2156-NSBA123JDXV6T1G-ONTR-DG
ONSONSNSBA123JDXV6T1G
NSBA123JDXV6T1GOSTR
NSBA123JDXV6T1GOSCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RN2905FE,LF(CT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
RN2905FE,LF(CT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Similar
Номер детали
DDA143TH-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2850
Номер части
DDA143TH-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.06
Тип замещения
Similar
Номер детали
EMB10T2R
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
16000
Номер части
EMB10T2R-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
Similar
Номер детали
DDA123JH-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DDA123JH-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.06
Тип замещения
Similar
Номер детали
PEMB10,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4000
Номер части
PEMB10,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.07
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NSVBC124EPDXV6T1G
SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
NSBA123EDXV6T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBC124XPDXV6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
DMG964040R
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6