Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NSBA124EDXV6T1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NSBA124EDXV6T1G-DG
Описание:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12856173
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NSBA124EDXV6T1G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
500mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-563
Базовый номер продукта
NSBA124
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NSBA124EDXV6T1G
HTML Спецификация
NSBA124EDXV6T1G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
2156-NSBA124EDXV6T1G-OS
ONSONSNSBA124EDXV6T1G
488-NSBA124EDXV6T1GTR
488-NSBA124EDXV6T1GCT
NSBA124EDXV6T1GOS
488-NSBA124EDXV6T1GDKR
NSBA124EDXV6T1GOS-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DDA143TH-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2850
Номер части
DDA143TH-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.06
Тип замещения
Similar
Номер детали
DDA124EH-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5994
Номер части
DDA124EH-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
Similar
Номер детали
RN2903FE(TE85L,F)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3450
Номер части
RN2903FE(TE85L,F)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Similar
Номер детали
DDA114TH-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5848
Номер части
DDA114TH-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NSBA114TDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA113EDXV6T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
NSVMUN5113DW1T3G
TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3
NSTB1002DXV5T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553