Производитель Номер продукта:
NTBGS1D5N06C
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTBGS1D5N06C-DG
Описание:
POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Подробное описание:
N-Channel 60 V 35A (Ta), 267A (Tc) 3.7W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
300 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988626
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTBGS1D5N06C Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.55mOhm @ 64A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 318µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
78.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6250 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 211W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
488-NTBGS1D5N06CCT
488-NTBGS1D5N06CTR
488-NTBGS1D5N06CDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS84W RFG
-60, -0.14, SINGLE P-CHANNEL
TK12P50W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE