NTBGS2D5N06C
Производитель Номер продукта:

NTBGS2D5N06C

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NTBGS2D5N06C-DG

Описание:

POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Подробное описание:
N-Channel 60 V 27A (Ta), 169A (Tc) 3.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

796 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954659
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NTBGS2D5N06C Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Ta), 169A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 35A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 175µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3510 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
488-NTBGS2D5N06CTR
488-NTBGS2D5N06CDKR
488-NTBGS2D5N06CCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SUD50N02-04P-E3

MOSFET N-CH 20V 50A TO252

infineon-technologies

IQE013N04LM6ATMA1

MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K361TU,LXHF

AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323

vishay-siliconix

SI7483ADP-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8