Производитель Номер продукта:
NTH4L045N065SC1
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTH4L045N065SC1-DG
Описание:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Подробное описание:
N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Инвентаризация:
484 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12964310
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTH4L045N065SC1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V, 18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.3V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1870 pF @ 325 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
187W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4L
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
488-NTH4L045N065SC1
488-NTH4L045N065SC1DKRINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1CT
488-NTH4L045N065SC1TR
488-NTH4L045N065SC1CTINACTIVE
488-NTH4L045N065SC1DKR
488-NTH4L045N065SC1TR-DG
488-NTH4L045N065SC1CT-DG
488-NTH4L045N065SC1DKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM3K7002KF,LXHF
SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270
SQJA16EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIR122LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
