Производитель Номер продукта:
NTMFS0D8N02P1ET1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMFS0D8N02P1ET1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Подробное описание:
N-Channel 25 V 55A (Ta), 365A (Tc) 3.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Инвентаризация:
1466 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12938502
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMFS0D8N02P1ET1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
55A (Ta), 365A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.68mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
+16V, -12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8600 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 139W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN, 5 Leads
Базовый номер продукта
NTMFS0
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
488-NTMFS0D8N02P1ET1GTR
488-NTMFS0D8N02P1ET1GDKR
488-NTMFS0D8N02P1ET1GCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFC120NB
MOSFET 100V 9.4A DIE
PMPB85ENEA115
N-CHANNEL POWER MOSFET
BSS84K-TP
MOSFET P-CH 60V 130MA SOT23