Производитель Номер продукта:
NTMFS3D2N10MDT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMFS3D2N10MDT1G-DG
Описание:
PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Подробное описание:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2.8W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Инвентаризация:
541 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12979494
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMFS3D2N10MDT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Ta), 142A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 316µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
71.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3900 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 155W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN, 5 Leads
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
488-NTMFS3D2N10MDT1GTR
488-NTMFS3D2N10MDT1GCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTLJS053N12MCLTAG
PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
DMN6069SFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
KFJ4B01120L
MOSFET P-CH 12V
