Производитель Номер продукта:
NTMTSC1D6N10MCTXG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMTSC1D6N10MCTXG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Подробное описание:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
Инвентаризация:
5966 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947946
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMTSC1D6N10MCTXG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 650µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7630 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.1W (Ta), 291W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
8-TDFNW (8.3x8.4)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
NTMTSC1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR
488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT
488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMN48XP,125
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
NVMYS6D2N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK
