Производитель Номер продукта:
NTNS4C69NTCG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTNS4C69NTCG-DG
Описание:
MOSFET N-CH SMD
Подробное описание:
N-Channel 30 V 1A (Ta) 178mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Инвентаризация:
12972680
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTNS4C69NTCG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
155mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 10µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
75 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
178mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-NTNS4C69NTCGTR
2832-NTNS4C69NTCG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJQ5440_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IRFBG30PBF-BE3
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
GPI65005DF
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
