Производитель Номер продукта:
NTP067N65S3H
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTP067N65S3H-DG
Описание:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Подробное описание:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
369 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12950502
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTP067N65S3H Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
SuperFET® III
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 3.9mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3750 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
266W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
488-NTP067N65S3H
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NTH4LN067N65S3H
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
361
Номер части
NTH4LN067N65S3H-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.45
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTBGS002N06C
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
NTH4LN095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTMFS1D7N03CGT1G
MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO