Производитель Номер продукта:
NTTFS5826NLTWG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTTFS5826NLTWG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
Подробное описание:
N-Channel 60 V 8A (Ta) 3.1W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Инвентаризация:
12858253
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTTFS5826NLTWG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
24mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
850 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 19W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-WDFN (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
NTTFS5
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
ONSONSNTTFS5826NLTWG
2156-NTTFS5826NLTWG-ONTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RH6L040BGTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
24833
Номер части
RH6L040BGTB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.79
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NP60N04MUK-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 60A TO220
NTMSD3P303R2G
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
2SK3483-AZ
MOSFET N-CH 100V 28A TO251
