Производитель Номер продукта:
NVH4L030N120M3S
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVH4L030N120M3S-DG
Описание:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 73A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Инвентаризация:
430 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13256153
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVH4L030N120M3S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
39mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.4V @ 15mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2430 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
313W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4L
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
488-NVH4L030N120M3S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APTM10SKM05TG
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
APTM20UM04SAG
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
NVBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
