NVTYS029N08HLTWG
Производитель Номер продукта:

NVTYS029N08HLTWG

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NVTYS029N08HLTWG-DG

Описание:

T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Подробное описание:
N-Channel 80 V 6.6A (Ta), 22A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK

Инвентаризация:

3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12979240
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NVTYS029N08HLTWG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.6A (Ta), 22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
29mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
431 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 33W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-LFPAK
Упаковка / Чехол
SOT-1205, 8-LFPAK56

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-NVTYS029N08HLTWGDKR
488-NVTYS029N08HLTWGTR
488-NVTYS029N08HLTWGCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
micro-commercial-components

MCU01N60-TP

MCU01N60-TP

diodes

DMN3110SQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMTH84M1SPS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMNH6069SFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333