SK8403160L
Производитель Номер продукта:

SK8403160L

Product Overview

Производитель:

Panasonic Electronic Components

Номер детали:

SK8403160L-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO
Подробное описание:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 70A (Tc) 2W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount HSSO8-F1-B

Инвентаризация:

2994 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12861490
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SK8403160L Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Panasonic
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Ta), 70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 3.35mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3920 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 28W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
HSSO8-F1-B
Упаковка / Чехол
8-PowerSMD, Flat Leads

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
P16263DKR
P16263CT
P16263TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
renesas-electronics-america

UPA1912TE(0)-T1-AT

MOSFET P-CH 12V 4.5A SC95

renesas-electronics-america

NP109N04PUG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3

renesas-electronics-america

RJK5012DPE-00#J3

MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK

renesas-electronics-america

NP100N055PUK-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 100A TO263