Производитель Номер продукта:
PJMH190N60E1_T0_00601
Product Overview
Производитель:
Panjit International Inc.
Номер детали:
PJMH190N60E1_T0_00601-DG
Описание:
600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AD
Инвентаризация:
1436 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12989056
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PJMH190N60E1_T0_00601 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1410 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
160W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AD
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
PJMH190
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
3757-PJMH190N60E1_T0_00601
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
IMT65R057M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R107M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
