PJMP210N65EC_T0_00601
Производитель Номер продукта:

PJMP210N65EC_T0_00601

Product Overview

Производитель:

Panjit International Inc.

Номер детали:

PJMP210N65EC_T0_00601-DG

Описание:

650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Подробное описание:
N-Channel 700 V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB-L

Инвентаризация:

790 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988017
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PJMP210N65EC_T0_00601 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
210mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1412 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB-L
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
PJMP210

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
3757-PJMP210N65EC_T0_00601

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TK16V60W5,LVQ

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM

panjit

PJMF210N65EC_T0_00601

650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI

infineon-technologies

IPP016N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3

vishay-siliconix

SIHK125N60EF-T1GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST