Производитель Номер продукта:
PJP8NA65A_T0_00001
Product Overview
Производитель:
Panjit International Inc.
Номер детали:
PJP8NA65A_T0_00001-DG
Описание:
650V N-CHANNEL MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 650 V 7.5A (Ta) 145W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12972968
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PJP8NA65A_T0_00001 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
145W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
PJP8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
3757-PJP8NA65A_T0_00001
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDP045N10A-F032
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
PSMN2R0-60ES,127
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
PJS6404_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M