Производитель Номер продукта:
PJQ1906_R1_00001
Product Overview
Производитель:
Panjit International Inc.
Номер детали:
PJQ1906_R1_00001-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L
Подробное описание:
N-Channel 30 V 300mA (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 3-DFN (1x0.6)
Инвентаризация:
13001216
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PJQ1906_R1_00001 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
45 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
3-DFN (1x0.6)
Упаковка / Чехол
3-UFDFN
Базовый номер продукта
PJQ1906
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
3757-PJQ1906_R1_00001TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
18N20
N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
IPP033N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
IXFN120N60X3
DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT
