PJW5N10_R2_00001
Производитель Номер продукта:

PJW5N10_R2_00001

Product Overview

Производитель:

Panjit International Inc.

Номер детали:

PJW5N10_R2_00001-DG

Описание:

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Подробное описание:
N-Channel 100 V 3.1A (Ta), 5A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Инвентаризация:

12972778
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PJW5N10_R2_00001 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.1A (Ta), 5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
707 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
PJW5N10

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
3757-PJW5N10_R2_00001TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTMJS0D9N03CGTWG

MOSFET N-CH 30V LFPAK8

panjit

PJQ5476AL_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJW7N06A_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

IRF640PBF-BE3

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB