Производитель Номер продукта:
QJD1210010
Product Overview
Производитель:
Powerex Inc.
Номер детали:
QJD1210010-DG
Описание:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Подробное описание:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module
Инвентаризация:
12842237
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
QJD1210010 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Powerex
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
500nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10200pF @ 800V
Мощность - Макс
1080W
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
Module
Базовый номер продукта
QJD1210
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
NTMFD5C650NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
