Производитель Номер продукта:
2SK3430-AZ
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
2SK3430-AZ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 1.5W (Ta), 84W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12853816
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SK3430-AZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2800 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta), 84W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF4104PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
928
Номер части
IRF4104PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.78
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HAT1069C-EL-E
MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK
HAT2166H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
2SK3385(0)-Z-E1-AZ
TRANSISTOR
