2SK4151TZ-E
Производитель Номер продукта:

2SK4151TZ-E

Product Overview

Производитель:

Renesas Electronics Corporation

Номер детали:

2SK4151TZ-E-DG

Описание:

MOSFET N-CH 150V 1A TO92
Подробное описание:
N-Channel 150 V 1A (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92

Инвентаризация:

12854583
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

2SK4151TZ-E Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.95Ohm @ 500mA, 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.5 nC @ 4 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
98 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
750mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
renesas-electronics-america

NP50P04KDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 50A TO263

onsemi

MTB2P50ET4G

MOSFET P-CH 500V 2A D2PAK

renesas-electronics-america

2SK4150TZ-E

MOSFET N-CH 250V 400MA TO92

renesas-electronics-america

UPA2739T1A-E2-AY

MOSFET P-CH 30V 85A 8HVSON