Производитель Номер продукта:
NP50P04KDG-E1-AY
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
NP50P04KDG-E1-AY-DG
Описание:
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Подробное описание:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
1472 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12854586
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NP50P04KDG-E1-AY Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5100 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 90W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
-1161-NP50P04KDG-E1-AYCT
NP50P04KDG-E1-AY-DG
559-NP50P04KDG-E1-AYTR
559-NP50P04KDG-E1-AYCT
559-NP50P04KDG-E1-AYDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MTB2P50ET4G
MOSFET P-CH 500V 2A D2PAK
2SK4150TZ-E
MOSFET N-CH 250V 400MA TO92
UPA2739T1A-E2-AY
MOSFET P-CH 30V 85A 8HVSON
