Производитель Номер продукта:
N0603N-S23-AY
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
N0603N-S23-AY-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 100A TO262
Подробное описание:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентаризация:
1470 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12858149
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
N0603N-S23-AY Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7730 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta), 156W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
N0603N-S23
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
-1161-N0603N-S23-AY
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NDH8447
MOSFET P-CH 30V 4.4A SUPERSOT8
NTGS1135PT1G
MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
IPS60R800CEAKMA1
CONSUMER
