Производитель Номер продукта:
BSS670T116
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
BSS670T116-DG
Описание:
NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Подробное описание:
N-Channel 60 V 650mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Инвентаризация:
560 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12989117
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS670T116 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
650mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
680mOhm @ 650mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 10µA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
47 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SST3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
846-BSS670T116TR
846-BSS670T116DKR
846-BSS670T116CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS138 RFG
50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
GT105N10K
MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
EPC2306
TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
