Производитель Номер продукта:
BSS84XHZGG2CR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
BSS84XHZGG2CR-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Подробное описание:
P-Channel 60 V 230mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Инвентаризация:
4070 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12948441
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS84XHZGG2CR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.3Ohm @ 230mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 100µA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
34 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN1010-3W
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
BSS84
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
846-BSS84XHZGG2CRTR
846-BSS84XHZGG2CRCT
846-BSS84XHZGG2CRDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STD2LN60K3
MOSFET N CH 600V 2A DPAK
RV8C010UNHZGG2CR
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
RV8L002SNHZGG2CR
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
