Производитель Номер продукта:
RV8L002SNHZGG2CR
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RV8L002SNHZGG2CR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
Подробное описание:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Инвентаризация:
6521 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12948493
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RV8L002SNHZGG2CR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN1010-3W
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
RV8L002
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
846-RV8L002SNHZGG2CRTR
846-RV8L002SNHZGG2CRDKR
846-RV8L002SNHZGG2CRCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STW56N65M2-4
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
STD8N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
STB22N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
