QH8KB6TCR
Производитель Номер продукта:

QH8KB6TCR

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

QH8KB6TCR-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Подробное описание:
Mosfet Array 40V 8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8

Инвентаризация:

5950 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965524
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

QH8KB6TCR Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
17.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.6nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
530pF @ 20V
Мощность - Макс
1.1W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Комплект устройства поставщика
TSMT8
Базовый номер продукта
QH8KB6

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
846-QH8KB6TCRDKR
846-QH8KB6TCRCT
846-QH8KB6TCRTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
rohm-semi

SH8MB5TB1

MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8SOP

vishay-siliconix

SQJ941EP-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8

rohm-semi

UT6KB5TCR

MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8

vishay-siliconix

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8