Производитель Номер продукта:
R6006JND3TL1
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6006JND3TL1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Подробное описание:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
12 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850600
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6006JND3TL1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
7V @ 800µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15.5 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
410 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
86W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
R6006
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-R6006JND3TL1TR
846-R6006JND3TL1DKR
846-R6006JND3TL1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD80R1K2P7ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
14924
Номер части
IPD80R1K2P7ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.40
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDN361BN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
R6006KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
FDP8442
MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
